BJT va ser inventat el 1948 per William Shockley, Brattain i John Bardeen, que ha remodelat no només el món de l'electrònica, sinó també en el nostre dia a dia. Els transistors d’unió bipolars utilitzeu tant portadors de càrrega que són electrons com forats. La indiferència dels transistors unipolars com els transistors d’efecte de camp només utilitzen un tipus de portador de càrrega. A efectes operatius, BJT utilitza dos semiconductors de tipus n i de tipus p entre dues unions. La principal funció bàsica d’un BJT és amplificar el corrent, ja que permetrà que els BJT s’utilitzin com a amplificadors o commutadors per produir una aplicabilitat àmplia en equips electrònics com ara telèfons mòbils, control industrial, televisió i transmissors de ràdio. Hi ha disponibles dos tipus diferents de BJT, que són NPN i PNP.

Què és un BJT?

El transistor de connexió bipolar és un dispositiu d’estat sòlid i en els BJT el flux de corrent en dos terminals, són emissor i col·lector i la quantitat de corrent controlada pel tercer terminal, és a dir, terminal base. És diferent de l’altre tipus de transistor, és a dir, Transistor d'efecte de camp que és el corrent de sortida està controlat per la tensió d'entrada. A continuació es mostra el símbol bàsic dels tipus BJT de tipus n i p.

Transistors de connexió bipolars

Tipus de transistors d’unió bipolars

Com hem vist, un semiconductor ofereix menys resistència al corrent de flux en una direcció i l’alta resistència és una altra direcció i podem anomenar transistor com a mode de dispositiu del semiconductor. Els transistors d’unió bipolars consten de dos tipus de transistors. Que, donat

Punt de contacte
Transistor de connexió

En comparar dos transistors, s’utilitzen més transistors de connexió que transistors de tipus puntual. A més, els transistors de connexió es classifiquen en dos tipus que es donen a continuació. Hi ha tres elèctrodes per a cada transistor de unió que són emissor, col·lector i base

Transistors de connexió PNP
Transistors de connexió NPN

Transistor de connexió PNP

Als transistors PNP, l’emissor és més positiu respecte a la base i també respecte al col·lector. El transistor PNP és un dispositiu de tres terminals que es fabrica a partir del material semiconductor . Els tres terminals són el col·lector, la base i l’emissor i el transistor s’utilitza per canviar i amplificar aplicacions. A continuació es mostra el funcionament del transistor PNP.

En general, el terminal del col·lector està connectat al terminal positiu i l’emissor a una font negativa amb una resistència, ja sigui l’emissor o el circuit del col·lector. Al terminal base, s’aplica la tensió i funciona el transistor com a estat ON / OFF. El transistor es troba en estat OFF quan el voltatge base és el mateix que el voltatge de l’emissor. El mode transistor es troba en estat ON quan la tensió base disminueix respecte a l'emissor. En utilitzar aquesta propietat, el transistor pot actuar tant en aplicacions com a commutador i amplificador. A continuació es mostra el diagrama bàsic del transistor PNP.

Transistor de connexió NPN

El transistor NPN és exactament oposat al transistor PNP. El transistor NPN conté tres terminals que són els mateixos que el transistor PNP, que són emissor, col·lector i base. El funcionament del transistor NPN és

En general, el subministrament positiu es dóna al terminal del col·lector i el subministrament negatiu al terminal de l'emissor amb una resistència, ja sigui l'emissor o el circuit de col·lector o emissor. Al terminal base, s’aplica la tensió i funcionava com un estat ONN / OFF d’un transistor. El transistor està en estat OFF quan el voltatge base és el mateix que l’emissor. Si s’incrementa la tensió base respecte a l’emissor, el mode transistor es troba en estat ON. En utilitzar aquesta condició, el transistor pot actuar com les dues aplicacions que són amplificador i commutador. El símbol bàsic i el fitxer Configuració NPN com es mostra a continuació.

Transistor de connexió PNP i NPN

Unió hetero bipolar

El transistor d'unió hetero bipolar també és un tipus que és el transistor de unió bipolar. Utilitza diferents materials semiconductors a l’emissor i a la regió base i produeix heterojunció. L'HBT pot manejar els senzills de freqüències molt altes de diversos centenars de GHz, generalment s'utilitza en circuits ultra ràpids i s'utilitza principalment en radiofreqüència. Les seves aplicacions s’utilitzen en telèfons mòbils i amplificadors de potència de RF.

Principi de funcionament de BJT

La unió BE és un biaix cap endavant i el CB és una unió de biaix inversa. L'amplada de la regió d'esgotament de la unió CB és superior a la unió BE. El biaix cap endavant a la unió BE disminueix el potencial de barrera i produeix electrons que flueixen des de l’emissor fins a la base i la base és fina i lleugerament dopada, té molt pocs forats i menys quantitat d’electrons de l’emissor al voltant del 2%. la regió base amb forats i des del terminal base sortirà. Això inicia el flux de corrent base a causa de la combinació d’electrons i forats. El gran nombre d’electrons que sobra passarà per la unió del col·lector de polarització inversa per iniciar el corrent del col·lector. Mitjançant l’ús de KCL podem observar l’equació matemàtica

Jo_ÉS= Jo_B+ Jo_C

“taula de veritat a calculadora d'expressió booleana ”

El corrent base és molt menor en comparació amb el corrent emissor i el col·lector

Jo_ÉS~ Jo_C

Aquí el funcionament del transistor PNP és el mateix que el transistor NPN, l'única diferència són només els forats en lloc dels electrons. El diagrama següent mostra el transistor PNP de la regió del mode actiu.

“com funcionen els televisors LCD ”

Principi de funcionament de BJT

Avantatges de BJT

Alta capacitat de conducció
Funcionament a alta freqüència
La família de lògica digital té una lògica acoblada per emissors que s’utilitza en BJT com a commutador digital

Aplicacions de BJT

A continuació es mostren els dos tipus d’aplicacions diferents en BJT

Canvi
Amplificació

Aquest article proporciona informació sobre què és un transistor de unió bipolar, tipus de BJT, avantatges, aplicacions i característiques dels transistors de unió bipolars. Espero que la informació donada a l'article sigui útil per donar una bona informació i entendre el projecte. A més, si teniu cap pregunta sobre aquest article o sobre el projectes elèctrics i electrònics podeu fer comentaris a la secció següent. Aquí teniu una pregunta, si els transistors s’utilitzen en circuits digitals, normalment operen en quina regió?

Crèdits fotogràfics: